ಜಿ ತಲಾಧಾರ

Ge ತಲಾಧಾರವು ಜೆರ್ಮೇನಿಯಮ್ (Ge) ಅಂಶದಿಂದ ಮಾಡಿದ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ.ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಒಂದು ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುವಾಗಿದ್ದು, ಇದು ವಿಶಿಷ್ಟ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ವಿವಿಧ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಜಿ ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ (Si) ನಂತಹ ಇತರ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್‌ಗಳ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಪದರಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಲು ಅವುಗಳನ್ನು ಮೂಲ ವಸ್ತುವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಹೈ-ಸ್ಪೀಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು, ಫೋಟೊಡೆಕ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸೌರ ಕೋಶಗಳಂತಹ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೆಟೆರೊಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕ ಪದರಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಯಲು ಜಿ ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು.

ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಅನ್ನು ಫೋಟೊನಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನಲ್ಲಿಯೂ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಇದನ್ನು ಅತಿಗೆಂಪು (ಐಆರ್) ಡಿಟೆಕ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಮಸೂರಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಯಲು ತಲಾಧಾರವಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು.ಜಿ ತಲಾಧಾರಗಳು ಅತಿಗೆಂಪು ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಮಧ್ಯ-ಅತಿಗೆಂಪು ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕ ಪ್ರಸರಣ ಶ್ರೇಣಿ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು.

ಜಿ ತಲಾಧಾರಗಳು ಸಿಲಿಕಾನ್‌ಗೆ ನಿಕಟವಾಗಿ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುವ ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು, ಅವುಗಳನ್ನು Si-ಆಧಾರಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಏಕೀಕರಣಕ್ಕೆ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.ಈ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯು ಹೈಬ್ರಿಡ್ ರಚನೆಗಳ ತಯಾರಿಕೆ ಮತ್ತು ಸುಧಾರಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಮತ್ತು ಫೋಟೊನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ.

ಸಾರಾಂಶದಲ್ಲಿ, Ge ತಲಾಧಾರವು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್‌ನಿಂದ ಮಾಡಿದ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತು.ಇದು ಇತರ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ವೇದಿಕೆಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್, ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಫೋಟೊನಿಕ್ಸ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವಿವಿಧ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.